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新開発の加工方により、SiCウェーハの高速生産・素材ロス大幅低減を実現

20160712_2[1] August, 15, 2016東京― 株式会社ディスコは、従来にないレーザ加工によるインゴットスライス手法「KABRA」プロセスを開発した。  同プロセス導入により、次世代パワーデバイス素材として期待される炭化ケイ素(SiC)ウェーハ生産の高速化、取り枚数増を実現し、生産性を劇的に向上させることが可能になる。 従来、SiCインゴットからウェーハを切り出す方法は、ダイヤモンドワイヤソーでの加工が主流だった。しかしSiCは硬質であるため加工に時間がかかる点と、切断部分の素材ロスが多く、インゴット1本あたりの取り枚数の少なさといっ

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【コヒレント】高出力ダイオードレーザシステムによる高効率ホットワイヤークラッディング