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レーザー研独自技術LTEMが非破壊・非接触で量子井戸構造半導体の光応答を読み解く

May, 17, 2021大阪― 大阪大学大学院工学研究科のAbdul Mannan､他のメンバーで構成される国際共同研究チームは、ワイドバンドギャップGaNとInGaNで構成する多重量子井戸構造半導体の光に対する複雑な応答を自由空間の放射されるテラヘルツ電磁波を用いて解明した。 　またその超格子を保護するGaNキャップ層の厚さ分布をナノスケールの精度でイメージングできることを証明した。これによりInGaN/GaN多重量子井戸構造を用いた光デバイス開発の加速が期待される。 今回、フェムト秒レーザを用いてInGaN/GaN

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テラヘルツ解析システム

掲載日：2015/11/27

テラヘルツ技術を活用し、半導体、プリント基板、電子部品などの配線品質を解析する「TS9000 TDRオプション」の販売を開始した。 　電子デバイスの配線品質の解析では、オシロスコープのTDR機能を用

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