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ImecとCST、ハイブリットInP光源でSiPhポートフォリオ拡張

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April, 16, 2020, Leuven--ImecとCST Globalは、CST Globalkey100プラットフォームからInP DFBレーザのImec集積シリコンフォトニクスプラットフォーム(iSiPP)への集積成功を発表した。
 InP DFBレーザと反射SOA(RSOA)のハイブリッド集積向けのインタフェースが、2021年上半期にはImecのシリコンフォトニクスプロトタイピングサービスの一環として利用できるようになる。これは、2020年のさらなる最適化と品質認定作業後となる。この共同Imec- CST Global技術提供は、光インタコネクト、センシング、コンピューティングなどコスト重視のアプリケーションにおけるシリコンフォトニクス採用を促進すると期待されている。

シリコンフォトニクス(SiPho)技術は、過去数10年で大きく進歩し、光通信からセンシングまで、多様なアプリケーションで広く利用されている。技術プラットフォームは成熟した手段に進化し、プロトタイピング、少量、大量製造に産業および学術研究で利用できる。しかし、SiPhoチップに光源を組み込む広範に利用できるコスト効果の優れたソリューションが、まだ欠如しており、コスト重視の市場でSiPhoの普及を阻んでいる。シリコン自体は効率的に発光しないので、InPあるいはGaAsなどIII-V半導体でできた光源を、個別パッケージコンポーネントとして実装するのが一般的である。そのような外部光源は、一般に結合損失が大きい、物理的フォームファクタも大きく、パッケージングコストも上昇する。

Imecは、CST Globalと協業して、ImecのSiPho技術ポートフォリオをパッシブアセンブリ、端面発光、InP DFBレーザとInP RSOAsで拡張する。この協業は、2019年に始まり、現在、Cバンド(1530-1565nm) InP DFBレーザをimecのiSiPPプラットフォームへのアセンブリに初めて成功した。InPレーザは、ダイボンディングプロセス(die-to-die bonding process)によりSiPho回路に「フリップチップ」集積され、効率よくアライメントされて、SiPhoチップ上のSiN導波路に>5mW結合を達成した。

imecの光I/Oプログラムディレクタ、Joris Van Campenhoutは、「CST Globalとの協業で、imecのシリコンフォトニクスポートフォリオをハイブリッド集積InP光源で拡張できる。初のパッシブレーザアセンブリは、優れた初期の結果を証明した。2020年を通じて、われわれはレーザアセンブリプロセスの精度とスループットをさらに最適化する。1310/1550nm波長でRSOA集積を含む機能拡張を行い、信頼性評価を行う」とコメントしている。

(詳細は、https://www.imec-int.com/)