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NEDOプロジェクトの研究開発成果を国際学会IEDM2016で発表

December, 8, 2016, 東京--NEDOプロジェクトにおいて東京大学および光電子融合基盤技術研究所(PETRA)、東京工業大学他による研究開発成果2件が、半導体デバイス分野で世界的に権威のある国際学会IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting)に採択され、12月3日から米国サンフランシスコで開催されているIEDM2016で成果を発表した。
 NEDOプロジェクト「超低消費電力型光エレクトロニクス実装システム技術開発」において、ウェハーボンディング技術によるInGaAsP/SiハイブリッドMOS構造を用いた光変調器を実証中の東京大学および技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(PETRA)と、同じくNEDOプロジェクト「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクス」において、微細化によるシリコンパワートランジスタの性能向上を実証中の東京工業大学他のそれぞれの研究開発成果が国際学会IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting)に採択され、国際学会IEDM2016で成果を発表した。

1. InGaAsP/SiハイブリッドMOS構造を用いた光変調器の実証
「超低消費電力型光エレクトロニクス実装システム技術開発」プロジェクトによる発表成果は、東京大学およびPETRAが実施中の光変調器の研究によるもの。Si基板上にウェハーボンディング技術を用いてInGaAsP層を貼り合せることで形成したInGaAsP/SiハイブリッドMOS構造の光変調器を世界で初めて実証した。これにより、シリコンフォトニクスによる高効率光変調器の実現とデータ伝送の省電力化への貢献が期待される。

2. 微細化によるシリコンパワートランジスタの性能向上の実証
「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクス」プロジェクトによる発表成果は、東京工業大学他が実施中の微細化によるシリコンパワートランジスタの研究によるもの。Si-IGBTのスケーリング(微細化)により、オン動作時の単位面積あたりの電流密度を高めることで、従来比約50%の抵抗値等の性能向上を実証した。これにより、市場のさらなる拡大とともに、電力制御システムの飛躍的高効率化と低コスト化を実現する次世代技術としてグローバルな省エネルギー社会への貢献が期待され。
(詳細は、www.nedo.go.jp)