オン・セミコンダクター、高効率3Dセンサスタッキング技術をデモ

January, 7, 2015, Las Vegas--オン・セミコンダクター(ON Semiconductor)は、初のフル機能スタックCMOSイメージングセンサのデモンストレーションを行った。
　特徴は、従来のモノリシック、ノンスタックデザインと比較してダイサイズが小さくなっており、ピクセルパフォーマンスもパワーコンサンプションも改善されている点。この技術は、1.1µmピクセルのテストチップへの実装と特性評価に成功しており、今年後半には製品化される予定。
　従来のモノリシック基板プロセスのセンサデザインは、ピクセルアレイとサポーティング回路の両方をサポートするためには別のダイエリアを必要とする。3Dスタッキング技術を用いることで、ピクセルアレイとサポーティング回路は別々の基板で製造され、次にスルーシリコンビア(TSVs)で両者間を接続してスタックする。これによりピクセルアレイは下層の回路に重なり、より効率的なダイフロア配置が実現する。このようなアプローチによって設計エンジニアは、イメージングパフォーマンス、コスト、パワー、ダイサイズなど、センサの個々の部分を最適化することができる。ピクセルアレイの最適化により、センサはノイズレベルを一段と下げ、ピクセル応答を向上させることでピクセルパフォーマンスを改善できる。下層の回路は、さらにアグレッシブなデザインルールを採用して消費電力を一段と下げることも可能。全般的にサイズが小さくなることで、同じモジュールサイズにOIS(Optical Image Stabilization)や追加のデータストレージを集積した今日の先進的なカメラモジュールをサポートできる。
　3Dスタッキング技術は、CES 2015で紹介されている。