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古河電工、高出力100mW DFBレーザダイオードチップを開発

September, 26, 2022, 東京--古河電気工業株式会社は、業界最高水準にあたる高出力 100mWのDFBレーザダイオードチップを開発した。

 古河電工は長年培ってきたInP (Indium Phosphide)半導体チップ技術により、世界最高水準にあたる100mW 高出力DFBレーザダイオードチップの開発に成功した。これにより、従来では対応できなかった800Gbps超の大容量通信をサポートする高性能光トランシーバを実現でき、今後の通信トラフィック増大に対応することが可能にな.。また、同社製高出力DFBレーザダイオードチップがキーデバイスとなって高性能トランシーバを実現することで、使用される光トランシーバ台数の増加を抑え、データセンタのエネルギー消費量の削減が期待できる。
(詳細は、https://www.furukawa.co.jp)