Imec､Sivers PhotonicsとASM AMICRA、InPレーザとSiPh集積

June, 28, 2021, Leuven--ImecとSivers Photonics (以前のCST Global､Sivers Semiconductors子会社)､ASM AMICRA Microtechnologies,は､Sivers’のInP100プラットフォームからのInP DFBレーザをImecのシリコンフォトニクスプラットフォーム(iSiPP)へのウエハスケール集積成功を発表した｡
　ASM AMICRAの最新NANOフリップチップボンダ装置を使い､InP DFBレーザダイオードが､アライメント精度500nmで､300㎜シリコンフォトニクスウエハに結合された｡これは､10mWを超えるレーザパワーをSiPhウエハのSiN導波路に再現性のある結合を可能にするものである｡パートナーの支援によりImecは､この技術を2021年後半にプロトタイピングサービスとして提供する｡これにより､光インタコネクト､LiDAR､バイオメディカルセンシングまでの幅広いアプリケーションでSiPhの採用が加速される｡

多くのフォトニックシステムは現在､まだ外部光源に依存している､効率的なオンチップ光源が欠如しているためである｡シリコン自体は､効率よく発光しないので､III-V半導体､InPあるいはGaAsなどでできた光源が､個別にパッケージされたコンポーネントとして実装されるのが一般的である｡しかし､これらのオフチップレーザは､高い結合損失､大きな物理的フットプリント､高いパッケージングコストに悩まされている｡

パートナーSivers and ASM AMICRAとともにImecは､InPレーザや増幅器の高精度フリップチップ集積機能を組み込むように､SiPhプロトタイピングサービスを拡張しようとしている｡最近完了した開発フェーズで､CバンドInP DFBレーザが､500nm(3Σ値)以内の超高アライメント精度で300㎜SiPhウエハにパッシブアライメント､フリップチップボンドされ､再現性のある10mWを超えるオンチップ導波路結合レーザパワーが実現された｡2021年下半期を通じて､そのハイブリッド集積ポートフォリオは､反射型半導体増幅器(RSOA)に拡張される｡これにはSiversのInP100技術､ASM AMICRA NANOの優れたボンディングアライメント精度を利用する｡この能力により､最先端の外部キャビティレーザ光源タイプが可能になる｡これは､新しい光インタコネクトやセンシングアプリケーションで必要とされているものであり､2022年早期に利用可能になる｡

(詳細は､https://www.imec-int.com/)