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II-VI、次世代3Dセンシング向けダブルジャンクションVCSELアレイ

February, 12, 2021, Rochester--II‐VI Incorporatedは、ダブルジャンクションVCSELアレイを発表した。これは、次世代3Dセンシングアプリケーションに向けた初の多接合VCSELアレイプラットフォームである。

コンシューマエレクトロニクス、自動車および産業を含む複数の市場における3Dセンシングの採用増が、奥行きセンサ需要を押し上げている。より長く広い範囲、低消費電力、小型サイズ、低コストのセンサである。II-VIの新しいVCSELアレイは、ダブルジャンクション技術をベースにしている。これは、VCSELエミッタ当たりの出力を2倍にし、パワー変換効率を既存のシングルジャンクション技術の46%と比べて56%に改善。これは、多くの差別的利点に利用される。より遠く、広い範囲をセンシングする高出力、バッテリ消費低減、小型サイズを含め、コストを下げ、低コスト達成、より目立たないデザインを可能にする。

「顧客との数年にわたる強力なパートナーシップ、長期的技術と製品ロードマップ開発で密接に協力し、3Dセンシングでブレイクスルーソリューション、継続的にユーザエクスペリアンス向上を目指した」とDr. Julie Engはコメントしている。同氏は、オプトエレクトロニクス& RFデバイス事業ユニットシニアVP。「数年前、われわれは、垂直統合GaAsオプトエレクトロニクス技術プラットフォームを3インチから6インチに拡張することに成功した。これによりわれわれは、開発サイクルを短縮し、積極的な市場向けに新製品を発表することができた。われわれは、そのプラットフォームをさらに進化させ、今回はダブルジャンクション技術に飛躍した。これは、世界が直面するアプリケーションでセンシング深度向上、AR/VRアプリケーション向けコンシューマ製品へのシームレスな組込など、既存の新しい利用例を解き放つと考えている」。

II-VIのダブルジャンクションVCSELアレイは、940nmで発光、その急峻なスロープ効率は、高いピークパワーの極短パルスを可能にする。そのVCSELアレイは、シングルジャンクションアレイと同様、低コストの非気密封止パッケージングで設計されており、チップ当たりのエミッタ数を増やすことで総出力を高信頼、コスト効果よくスケールできる。また、II-VIの垂直統合6インチプラットフォームで量産可能である。

II-VIの3Dセンシング向けの幅広いポートフォリオには、回折光学素子(DOE)や薄膜フィルタが含まれる。これらは、大量アプリケーション向けにウエファスケールで生産される。DOEレンズレットアレイは、VCSELアレイからのビームをコリメート、集束、あるいは変換する。DOEディフューザは、VCSELアレイの出力を均質化し、均質な照明視野を生み出す。DOEスプリッタは、入力ビームをマルチ出力ビームに分ける。フィルタは、画像センサアレイのSNR向上に利用される。II-VIのVCSELアレイは、チップまたは表面実装パッケージ、DOEs組込で提供される。
(詳細は、https://ii-vi.com/)