CompoundTek、Q1 2021から新しウエハエッジカプリング技術

October, 14, 2020, Singapore--CompoundTek Pte Ltdは､8”/12”問わないSilicon Photonics Wafer Test Hubの未来指向開発を発表した｡拡張への取り組みは､2つの重要な市場要求エリアへの対処に焦点を当てている､ウエハレベルエッジ結合特性と商用製品企業向けのテスト時間削減である｡

今日､SiPhウエハテストは､光とDUTとの垂直光結合によって行われる､これは実際の最終アプリケーションとは反対である｡最終アプリケーションでは光は,ダイエッジのカプラにより､水平にデバイスに結合されるからである｡ウエハテスト環境と最終アプリケーションとのミスマッチが生ずると､SiPhテストカバレッジにギャツプが生ずる可能性があり､実世界ベースのテストシナリオで､欠陥を選別する必要性が強まる｡

CompoundTekの新しいウエハ一次結合技術の開発は､画期的なソリューションである｡エッジ結合に起因する欠陥の検出を含めることで既存のSiPhウエハテストのカバレッジ拡大に着手する｡

Q1 2021から主要顧客へ提供する計画で、ウエハレベルエッジ結合特性は、同社のTest Executive Systems (TES)拡張の取り組みと並行して、開発されている。SiPhが市場にさらに広範に採用されるための重要な問題の象徴、ウエハあたりの長いテスト時間、必要なテストタイプとカバレッジに依存して36時間から96時間は、十分に確立されたCMOSロジック製品サプライチェーンとは異なっている。

長い試験時間は、複雑な光-電気(DCとRF)テストが一因であり、テストカバレッジと競争力のあるテスト時間のバランスをとることができる標準化されたSiPhウエハテストソリューションがないので、SiPhデパスのために光コンポーネントを首尾よくチップに組み込むことが遅れ、SiPh技術の大量採用の障害となっている

CompoundTek固有のTES実行最適化による最近のブレイクスルーは､顧客の製品テスト時間を最大40%に低減することができ､最短で1.5時間(2.5時間から)､あるいは70時間(96時間から)となった｡コンセプトから品質認定､さらに製造まで設計を移すために必要なデバイスパフォーマンスデータ量が可能になり､TESはウエハレベルSiPhテストサービスの市場での採用促進を狙っている｡
(詳細は､https://compoundtek.com/)