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ネオフォトニクス、400G向けに53GbaudリニアIC出荷

July, 18, 2019, San Jose--ネオフォトニクスは、400Gデータセンターアプリケーション向けシリコンフォトニクスベース変調器用53GbaudリニアドライバIC出荷を発表した。
 出荷は、53GbaudリニアドライバICの早期限定数量で、波長あたり100Gデータセンター光トランシーバモジュールのシリコンフォトニクスベースMZMチップで動作するように設計されている。
 これら高性能ドライバICは、ネオフォトニクスの実証済み、社内GaAsウエハ製造工場を利用して製造され、シングルおよびクワッドフォーマットの両方で提供可能である。
 シリコンフォトニクス(SiPho)が、データセンター内500m程度(DR)の中距離光データ伝送の有望技術として登場してきており、複数のベンダが、53Gbaud SiPho変調器チップを設計している。これは、個別の4チャネルで100Gbpsを達成するPAM4エンコーディングを利用して、4個の個別光信号を変調できるものであり、モジュールはトータルで400Gbpsとなる。これらSiPho変調器チップ設計は、PAM4 DSPチップで使われているCMOSエレクトロニクスで通常生成されるよりも、一般に大きな電圧振幅を必要とする。ネオフォトニクスLinear Driver ICは、電気信号を増幅する。SiPho変調器を動作させる適切な信号になり、所望の光信号を生成するためである。ネオフォトニクスQuad Driverチップは、4個の個別ドライバを1個のコンパクト、低消費電力チップに統合しており、QSFPやQSFP-DDなどのコンパクトなプラガブルモジュールをサポートする。
 これらSiPhoベーストランシーバは、変調器への初期入力光を供給するハイパワーレーザも必要としている。ネオフォトニクスは、そのようなハイパワー、非気密封止レーザを提供しており、すでに量産出荷を始めた。これらのハイパワーDFBレーザは、Telcordia GR-468-CORE Issue 2に準拠した非気密封止テストで品質認定されている。

(詳細は、https://www.neophotonics.com/)