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imec、CCD-in-CMOSベースTDIイメージャにUVセンシング機能追加

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November, 14, 2018, Stuttgart--imecは、Vision 2018で、CCD-in-CMOS技術に基づいた高速度・紫外線に感度があるTDI(time-delay-integration:時間遅延積分)イメージャを展示した。
 TDIイメージャは、近紫外(near-UV)領域で70%以上の量子効率を持ち、産業用マシンビジョン、特に半導体製造工程における検査ツールに適している。スペシャリティ・イメージャは、imecのCCD-in-CMOSベースTDIイメージャ製品ポートフォリオを拡大し、フルカスタム設計から評価カメラまで、様々なビジネスモデルで提供される。

新しいイメージャは、imecのTDI CCD-in-CMOS技術を用いて製造された。これはCCD TDIピクセルとCMOS読出しを1つの技術に統合したものである。この組合せにより,両分野の最高性能が単一ラインスキャニングイメージャで可能になり、ローノイズ、高感度TDIパフォーマンス、低消費電力、高速で複雑な読出し回路のオンチップ集積化が実現した。

UV感度は、専用反射防止コーティングと組み合わせたimecの裏面照射技術を適用することで達成されている。裏面照射により、光は裏面から直接イメージャに入り、画像センサの量子効率を著しく高める。UV限定の反射防止膜を着けることで、250-400nmの(近)紫外領域で70%を超える高ピーク量子効率が達成されている。可視光よりも短波長に感度があることで、そのイメージャは微細構造を検出できる。したがって、同技術は、マスク、ウエファや粒子検査などの半導体検査アプリケーションで特に魅力的である。
 TDIセンサは、130nm CMOSプロセスフロー内imecのCCDプロセスモジュールを利用して200㎜ウエファで製造される。そのコスト効率の優れた製法は、他のウエファレベル後処理技術、TDI性能を高めるためのスペクトルフィルタ組み込みに適合している。結果として得られたセンサは、高感度、高速(最高300kHzラインレート)で、低消費電力である。
(詳細は、https://www.imec-int.com)