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ネオフォトニクス、ドライバ集積低消費電力28 Gbaud EML

February, 13, 2017, San Jose--ネオフォトニクス(NeoPhotonics Corporation)は、ドライバ集積の低消費電力28Gbaud外部変調レーザを発表した。これは、クライアントサイド4×25 NRZ 100G, 4×50 PAM4 200G, および8×50 PAM4 400G用に設計されている。この新しいEMLは、現在100Gデータセンターおよびクライアントサイドアプリケーション向けに量産出荷されている同社のEMLレーザファミリに新たに加わる新製品。
 データセンターオペレーターやサービスプロバイダーは、100Gbpsや200Gbpsクライアントサイドインタフェーストランシーバを積極的に導入しており、急速に400Gbpsへ移行しようとしているので、より低消費電力で小型のコンポーネントの需要がかつてなく増加することになる。ネオフォトニクスの現在の28 Gbaud EMLレーザは、100Gクライアントインタフェースの主流技術、商用ソリューションであり、大量に出荷されている。一般的な100Gクライアントアプリケーションでは、EMLに十分な変調電圧スイングを供給するために、CMOSベースCDR ICとEMLの間にスタンドアロンのドライバが必要となる。一般にドライバは1W程度の電力を消費し、100Gトランシーバ内の貴重なボードスペースの1平方センチメートルを超える領域を占める。
 ネオフォトニクスの新しい28 Gbaud EMLは、ドライバを28 Gbaud EMLにチップオンキャリア(CoC)レベルで集積している。ドライバは、ネオフォトニクスのローパワーリニアGaAsアンプ技術を使用している。CoCアセンブリは、4-chトランスミッタ光サブアセンブリ(Quad TOSA)に適合している。これは100Gbps QSFP28やCFP4フォームファクタ向けに設計されたもので、ボード上に独立のドライバを必要としない。したがって顧客は、CMOSベースCDR ICを直接ネオフォトニクスの28 Gbaud CMOS駆動EMLにリンクでき、簡素化、低消費電力、スペース節約という恩恵を受けることができる。PAM4アプリケーションでは、集積リニアドライバにより、ネオフォトニクスの新しいCMOS駆動28 Gbaud EMLは200Gbpsと400Gbpsアプリケーション向けの魅力的なオプションとなる。PAM4/CDR ICにシンプルかつ直接接続できるからである。
 ネオフォトニクスチェアマン/CEO、Tim Jenks氏は、「当社の業界初CMOS駆動28Gbaud EMLは、100G、200G、400Gトランシーバ設計をシンプルにし、EMLベースのQuad TOSAに高信頼のソリューションを提供し、100G QSFP28が3.5Wという厳しい目標消費電力を満たすようにする」と語っている。さらに同氏は、「この新しい製品は当社の先進的ハイブリッドフォトニック集積技術をベースにしており、当社の実証済みInP EMLとGaAsドライバ技術を統合して、次世代の100G、200G、400Gデータセンターおよびクライアントサイドアプリケーション向けにパワーとサイズの大幅削減を達成した」とコメントしている。
 ネオフォトニクスCMOS駆動EMLは現在、同社の次世代クライアントサイド100G、200G、400Gトランシーバに設計統合する段階にあり、外部顧客への販売は2017年下半期となる予定である。