CompoundTekとSTAr､SiPhウエハテスタを共同開発

July, 13, 2022, Singapore--CompoundTek Pte Ltd (CompoundTek)とSTAr Technologies Inc (STAr)は､自動ファイバアレイブロックエッジ結合を備えた画期的なSiPhウエハテストソリューション開発成功を発表した｡

このブレイクスルーは､SiPh製品会社やメーカーのニーズ対処に役立つ｡最終アプリケーションで光がSiPh製品にどのように結合するかなどウエハテストができるので､ウエハテスト能力範囲拡大となる｡これは､ファイバアレイをトレンチ幅が100μm以下のSiPh ICsにエッジ自動結合するSiPhテスタだけで可能になり､高い再現性と効率となる｡

CompoundTekのCEO､Raj Kumarは､｢垂直グレーティングカプラを利用するダイをテストすることは､ウエハテストの範囲の妥協となる｡テスト条件は､フィールドで利用されるものと同じではない｡さらに､設計者は､この垂直グレーティングカプラとテスト構造のためにダイにスペースを割り当てなければならない､結果的にダイサイズが大きくなり､ウエハ当たりのダイ総数が減る｣と説明している｡

｢ウエハテストを完全にスキップすることは､全般的な製品コスト上昇となる､他のダイとアセンブリする前に良品SiPhを特定できないからである､したがって､欠陥SiPhがアセンブリされると全般的に高コストになり､材料の無駄になる｣(Raj Kumar)

現在のSiPhは､従来の電気インタコネクトの代わりだけでなく､幅広い範囲のアプリケーション､LiDAR､量子コンピューティング､バイオセンシングなどで利用される｡しかし､チップ上で光コンポーネントの集積が､SiPhデバイスのウエハレベルテストで多くの新しいエンジニアリング､量産製造課題となっている｡製品のほとんどがエッジカプラを使ってチップとの光入出力結合するからである｡これらのエッジカプラ問題を回避するためにほとんどの製品会社は､ウエハテスト中に垂直グレーティングカプラを利用するか､あるいはウエハテストをスキップして、SiPhのアセンブルとパッケージ後のテストのみとしている｡

CompoundTek と STArは､ファイバアレイブロックの極めて精密な位置決めでこの技術を可能にする｡一般に100μm以下の幅の狭いトレンチで精度と再現性は0.1μmである｡テストファイバスキャンは､約90°で光をエッジカプラに屈折させることができる｡低い光パワー挿入損失､光反射も極めて低い｡これは､特許申請中のファイバアライメントテストキットとパタン認識ソフトウエアにより可能になっている｡これらは､光と光､電気と光テストの両方で全てのSiPhデバイスに適用される｡

STArのCEO/創始者､Dr Choon Leongは､｢共同開発テスタは､ウエハレベルの効率的エッジ結合テストに必要とされる技術課題をセットアップとアライメントテスト時間で最大50%削減できた｡同時にテストシステムのコストを現在市場にある他のテスタよりも40%下げている｡この提携は､SiPhテストにとっては新たなマイルストーンである｡これは､垂直およびエッジ結合の両方で信頼度の高いコスト効率の優れたテストシステムの現在および将来の市場ニーズを満たしている｡特に大量テストの場合である｡われわれのテストソリューションは､性能とコスト要求に応える点でスイートスポットである考えている｣とコメントしている｡

SiPhの形での技術シフトは､スピード､電力効率､密度でかなり重要な前進の可能性を示している｡SiPh革命の最初の波は､銅線で設定された障壁を破壊する光インタコネクトにより世界中のデータセンタに展開される｡並行して､SiPhトランシーバの開発は､コスト効果の優れたウエハテストソリューションの需要増となり､業界は､ウエハレベルで品質制御範囲を改善することができ､パッケージ後の故障による製品コストを下げる可能性がある｡
(詳細は､https://compoundtek.com/)