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リソグラフィプローブに高NA EUVイメージングとアト秒分析ラボ導入

June, 6, 2019, San Francisco--ImecとKMLabsは、リアルタイム機能イメージング/干渉リソグラフィを実現するための共同開発を発表した。
 このラボは、300㎜ウエファで前例のない8 nmピッチまでのレジスト・イメージングを可能にする。さらに、複合材料やプロセスの時間分解ナノスケール特性評価を可能にすることになる。例えば、フォトレジスト放射線化学、2D材料、ナノ構造システムやデバイス、新興の量子材料など、複雑な材料とプロセスの時間分解ナノスケール特性評価ができるようになる。

このような機能は、Imecの後処理分析能力に基づいて拡大し、アト秒からピコ秒の時間領域の材料の分子や量子の動力学の評価を可能にする、また技術ロードマップを遙かに上回るリソグラフィ形状もイメージングすることができる。詳細は、SPIE Advanced Lithography Conferenceで発表された。

これまでになく小さな、より密なピッチを形成する能力は大きな課題となっている。EUVサブピコ秒露光過程の基本的理解が欠如しているからである。それを行う最初の産業研究所、Imecのattolabは、EUVフォトン吸収とそれに続く電離プロセスの研究を、アト秒からピコ秒という前例のない時間スケールで、可能にする。材料特性の基本的な理解から得られるものが、新しいリソグラフィ材料と下層の開発に道を開くと期待されている。
 KMLabsの高流量源のコヒレンスにより、Imec attolabは、13.5 nmで高NAイメージングと競う干渉イメージングもできるようになる。この能力は、2018年10月発表の予定されたASML-Imec高NAラボに備えて、Imecで高NAパタニング・エコシステムのジャンプスタート開発のために計画されている。また、これは初のASML EXE5500 High-NA (0.55NA)プロトツールの一つの中心になる。Imecのクリーンルームでこの高NA干渉能力と現在のHVM関連EUVスキャナ(NXE:3400B)を統合することで、Imecとそのパートナーは、0.55NAツールが利用可能になる前に、フォトレジストイメージングの基本的な動力学を詳しく調べることができる。300㎜干渉リソグラフィ(IL)能力により、最先端の計測ツールを使うことで先進的なパタニング膜とプロセスを研究することができ、継続利用して、レジスト物理学と科学の知見を材料科学の限界まで広げることができる。

当初、次世代リソグラフィ装置の開発支援のために始めたが、多くの他の研究分野が、そのような先進的なファシリティから恩恵を受けることになる。イメージデング材料分子力学や電離プロセスを超えて、このラボでは、産業設定で、アト秒時間分解電子分光学や材料のイメージング能力が利用できる。今後のロジック、メモリ、量子デバイスの開発、さらには次世代計測や検査技術の開発加速に、これは重要である。

新しいラボは、多数のKMLabs EUVビームラインを備え、一連のEUVエンドステーションの共同開発のプラットフォームとなる。
(詳細は、https://www.kmlabs.com/)