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VeecoとAllos、提携して200㎜ GaN-on-Si MicroLED加速

November, 14, 2018, Plainview--Veeco Instruments Inc.とALLOS Semiconductors GmbHは、MicroLED製造向け第一級のGaN-on-Siエピウエハ技術を業界に供給する相互努力の新たなフェーズが完了したと発表した。両社のごく最近の提携の目的は、多数の有名な世界的コンシューマエレクトロニクス企業向けエピウエハ製造時に、ALLOSの200㎜ GaN-on-Siエピウエハ技術の再現性を、VeecoのPropel MOCVD装置で実証することだった。 
 「MicroLED技術を生産に移行させるには、単一測定基準でチャンピオン値を提示するだけでは十分でない。優れた再現性と歩留まりで個々のウエハの全般的な仕様を達成することが重要だ。この共同の取り組み成功は、顧客がMicroLED採用を加速するために、Veecoの優れたMOCVD技術とALLOSのGaN-on-Siエピウエハ技術を統合した力が、新しい実証済みの信頼できるアプローチを提供できることの再確認である」とVeecoの化合物半導体事業ユニット、シニアVP、ジェネラルマネージャ、Peo Hanssonは説明している。
 ソーティングとビニングは、従来のLEDsで波長の一貫性達成のための標準的方法である。しかしMicroLEDsは小さすぎ、多すぎてソーティングもビニングも困難。したがって、エピタキシャル成長の均一性が殊の外重要である。MicroLEDディスプレイの量産見通しを現実にする最も重要な成功要因は、極めて優れた発光波長の均一性達成である。これにより、個々のmicroLEDチップの試験やソーティングの必要性がなくなる。アプリケーションおよび大量トランスファアプローチ次第で、産業の目標仕様はエピウエハで±1 nmと±4 nm(最小/最大)の間になる。この協働プロジェクトにより、VeecoとALLOSは、極めて重要な波長の均一性を改善し、最良ウエハで標準偏差わずか0.85nmとした。
「両社は、ウエハ毎に再現性を評価し、全てのウエハで平均波長標準偏差1.21nm、±0.5nm以内のピーク波長とした。この成果で、われわれはエピウエハで±1nmというビンゴールに大きく前進した。われわれの技術は、すでに200㎜ウエハ径で利用可能であり、これによってローコスト、高歩留まりシリコンラインのmicroLEDチップ製造が可能になる。加えて、われわれには300㎜を可能にする明確なロードマップがある」とALLOSのCEO、Burkhard Slischkaは話している。

 ディスプレイ技術のイノベータは、次の大きな技術シフトとしてMicroLEDに焦点を絞っている。Yole Développementによると、microLEDディスプレイ市場は、2025年までには3億3000万台に達する見込である。この楽観論は、microLED技術(サブ100µmエッジ長)の見通しに支えられている。この技術は、遙かに低消費電力で究極のディスプレイを実現する重要技術と見なされている。とは言え、そのようなディスプレイの開発の障害となっているのは、高い材料コスト、microLEDのマストランスファ技術低歩留まりとスループットである。この共同の技術的取り組みは、こうした課題に効果的に取り組む。両社は、GaN-on-SiエピウエハとmicroLEDトランスファ技術のさらなる改善のために,引き続き顧客と協働していく。
(詳細は、www.veeco.com)