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Picosun-SINANO、TiNプロセス向上で提携

November, 2, 2018, Espoo--ALD (Atomic Layer Deposition)薄膜コーティングソリューションの世界的供給企業、Picosun groupと蘇州ナノテク/ナノバイオニクス研究所(SINANO)は、PiconsunのプラズマALD技術で成長させた高品質の窒化チタン(TiN)を報告している。
 マイクロエレクトロニクスコンポーネント製造では、コンポーネントの機能と寿命に関して、金属と半導体材料層との抵抗接点が重要である。一般に、チタンなどの純金属が、金属材料として用いられてきたが、それらは一定の欠点がある。そのため、TiNが代替として用いられている。TiNは同じように金属であり、その伝導性と熱安定性は、純粋チタン金属と比べて優れているが、高品質TiN膜を得るには、製法と条件が重要になる。
 ここが、PicosunのリモートプラズマALD(RPEALD)技術がその力を発揮するところである。Picosunのアプローチでは、プラズマ源が、基板から十分に離れた位置にある。アグレッシブにイオンを打ち込むではなしに、基板への熱応力、物理的イオン損傷をなくし、短絡のリスクなしで導電体材料の堆積を可能にし、プラズマ源へのガス逆分散をなくすためである。先駆体化学物質とプラズマガスの適切な選択は、極めて低い酸素含有量と仕事関数、低いシート抵抗、正確なストイキオメトリ、高均一性の高純度TiN膜を確実にする。さらに、プロセスパラメータと温度に関してプロセスウインドウは、広く、プロセスは、大きな、様々な基板材料に導入可能である。
 「TiNは、特にGaN、小さな200㎜径まどのシリコンウエファで製造されるコンポーネントでは、アプリケーションの中心的材料である。Picosunは、200㎜までのウエファ市場向けに、コスト効率の優れた、ターンキー製造ソリューション提供に特化している」とPicosun Asia PteのCEO、Edwin Wu氏は語っている。
 SINANOとPicosunは、2017年初めから提携している。提携の目標は、ALDを使い、HEMTsやレーザダイオード、リチウムイオンバッテリなどの先進的なマイクロ、オプトエレクトロニクスコンポーネントの開発である。
(詳細は、www.picosun.com)