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III-V Lab のスピンオフAlmae、Marcoussisファシリティを引き継ぐ

July, 14, 2016, Marcoussis--III-V Labチームの再編で、Almaeテクノロジーズ(Almae technologies)がIII-V Labのファシリティをを受け継ぐ。2015年10月にIII-V Labからスピンオフした、Almaeテクノロジーズは、III-V Labが認定したエピタキシ装置と電子ナノリソグラフィ装置を使用して、通信市場向けにIII-V半導体ウエハを直ちに製造できる態勢にある。
 2000平方メートルのクリーンルームで、Almaeテクノロジーズは年間数千の半導体ウエハ製造能力を有する。これには、光ファイバ高速伝送をサポートする新しい世代のレーザコンポーネントも含まれる。
 この重要装置の取得とともに、AlmaeテクノロジーズはIII-V Labからの技術移転を受け、設計、製造および評価で研究室のR&Dチームの運用サポートも受ける。

フォトニック集積技術のブレイクスルー
Almaeテクノロジーズは、半導体レーザを集積したフォトニック回路実現に使用するInPウエハを設計、製造する。これは、Nokiaから特許一覧のライセンスを受けることで可能になっている。これには、III-V Labで開発された、原子スケールの制御で材料を成長させる技術が含まれる。この「埋込ストライプ」レーザ技術は、フォトニクスでは世界的イノベーションの最先端にある。これは、レーザを構成する半導体ストリップをサブミクロン精度で電気絶縁材料でカバーすること、優れた熱交換とビームの最適光導波を実現することで成り立っている。この技術は、集積されたレーザの実装、安定性と性能を強化するものである。最高25 Gbit/sで動作する一連の製品は開発過程にある。
 市場についてのAlmaeテクノロジーの見方では、アジアとUSに力強い成長が見込める。光通信トランスミッタセグメントは、年率12%の成長が見込まれている。
(詳細は、www.3-5lab.fr)