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BluGlass、過去最高のRPCVD(p-GaN)光出力を実証

July, 9, 2014, Sydney--ブルグラス(BluGlass Limited)は、独自技術RPCVDをMOCVDパーシャルLED構造に用いて過去最高のp-GaN光出力実証に成功した。
 この成果は、2012年12月に、同じ計測方法を用いて同社が発表した、初めてのp-GaN実証データと比べてLEDの効率は10倍以上向上している。これは、これまでp-GaNパフォーマンス実証の限界となっていた技術障害「インタフェース・チャレンジ」への対処で飛躍的改善によって達成された。
 これら新しいブレイクスルーは、改善版プラズマシステムと新しい工程ステップを組み合わせた成果であり、新工程ステップは一段と高輝度のLEDsに向けて継続してパフォーマンスが改善されている。
 同社CEO、Dr. Ian Mann氏によると、RPCVD p-GaNベースLEDパフォーマンスは段階的な変化であった。「これを達成したのは2つの重要側面を重視しことによる。RPCVD p-GaN成長始める工程段階、それとMOCVD成長の最後の層を完了する段階。実際のところRPCVDとMOCVDの工程が両立できることを確認した」。さらに同氏は、「これら新しい開発を受けて、当社の開発チームは、低温RPCVDが、現在MOCVDだけで製造されるLEDsのパフォーマンスを高めることを実証する正しい道を進んでいると考えている」とコメントしている。
 BluGlassは、RPCVD最上層(p-GaN層)がLEDの光出力を改善することを業界に対して実証することを目標にしている。
 また、次世代RPCVDシステム、BLG-300は完成間近であり、今月末にはGaN成長に使用できる見込だ。この生産規模外のシステムは、現在のR&D装置と比べると遙かに巨大であり、BluGlassのR&D能力を効果的に倍増するものである、と同社は説明している。多数のRPCVDシステムを所有することで、同社開発チームのLEDマイルストーン(8インチウエファ成長およびGaN-on-Si低温CVDの潜在的なパフォーマンスメリットに向けた技術拡大)への対処能力が著しく強化される。