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Plessey、グリーンギャップを克服するキュービックGaN LED

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February, 1, 2016, Allesley--プレッセイ(Plessey)、Anvil セミコンダクターズ(Anvil Semiconductors)、ケンブリッジ大学は、Anvil の3C-Sic/Si基板に高効率LEDをキュービックGaNで製造するために提携する。
 キュービックGaNは、通常のLEDで内部電場によって引き起こされる問題を克服することができる。キャリアの再結合の妨害と効率低下の問題である。これは特にグリーンLEDに当てはまる。ここでは内部電場が強く、「グリーンギャップ」として知られるグリーン波長で効率急低下の原因と考えられている。簡単に商用化できる大口径シリコンウエハプロセスからのキュービックGaNが、グリーンLEDの効率を高め、LED照明のコストを下げる重要技術となる。
 提携によって、研究チームはMOCVDで、シリコンウエハ上の3C-SiCにキュービックGaNを成長させることに成功した。3C-SiC層は、Anvil が自社特許の応力緩和IPを用いて製造した。100㎜径シリコンウエハでSiCデバイスの高品質成長が可能になる。プロセスは、すぐに150㎜ウエハに移行し、変更なしでさらに大口径化して大規模の産業アプリケーションに適したものとなる。Plesseyは、最初にケンブリッジ大学で開発されたIPを使って150㎜径シリコンウエハ上に従来のGaNで製造したLEDの商用化をスタートしている。Anvil の高品質3C-SiC on Si技術は、SiCパワーデバイス向けに開発されているが、実際の基板となっており、これによってシングルフェーズキュービックGaNが可能になる。また、PlesseyのGaN-on-Siデバイス技術と互換性があるプロセスである。
(詳細は、www.anvil-semi.co.uk)