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6インチGaAsプラットフォームでハイパワー半導体レーザ全製品提供

Wafer-1

October, 26, 2020, Durham--II‐VI Incorporatedは、ハイパワー半導体レーザの全製品ラインが6インチGaAsプラットフォームで提供できると発表した。

レーザシステム市場における競争激化と期待される需要増は、Industry 4.0、医療診断や手術、航空宇宙と防衛を含め、規模の経済を促進しながら高信頼に量産できる半導体レーザダイオードサプライヤに好都合である。II-VIは、ハイパワー端面発光ダイオードを6インチGaAsプラットフォームで量産し、伸び続けるファイバレーザ励起チップ需要に対応している。II-VIは、数10年におよぶ高信頼ハイパワーGaAs端面発光励起レーザの製造技術を利用し、3Dセンシングや高速データコムアプリケーション向け6インチGaAsオプトエレクトロニクスプラットフォーム導入における同社の勢いに立脚して、この成果を達成した。

「オプトエレクトロニクス向けでは、6インチGaAs技術プラットフォームは、世界に僅少であるが、II-VIは米国の2箇所とスイス1箇所の3箇所を含め、すでに世界の数箇所で稼働している」と同社レーザデバイスとシステム事業ユニット、SVP、Dr. Karlheinz Guldenはコメントしている。「われわれの知る限りでは、そのようなスケーラブルなプラットフォームで高信頼高出力励起レーザダイオードとバーを製造するのは世界で当社が初めてである。この画期的な成果を達成することでII-VIは、社内垂直統合技術プラットフォーム開発の長期戦略的優位性を再度証明している。これは、多数のアプリケーションで長年、投資を活用する力量を示している」。

II-VIのハイパワー半導体励起レーザは、ベアダイとマウントチップで提供される。II-VIのレーザシステム向け幅広いコンポーネントプラットフォームは、シードレーザ、音響光学変調器、FBGs、キロワットポンプや信号コンバイナ、イオンビームスパッタリング(IBS)コートレーザオプティクス、ハイパワーアイソレータ用マイクロオプティクスを含む。

オプトエレクトロニクス向け6インチGaAs技術プラットフォームに加えて、II-VIは、6インチGaAsおよびGaN-on-SiC技術プラットフォームをRFエレクトロニクス向けに確立している。
(詳細は、https://www.ii-vi.com)