imecとそのパートナー、OFCで50GHz Ge導波路EAMをデモ

April, 2, 2015, Los Angels--imec、ゲント大学(Ghent University)の関連研究所(Intec)、スタンフォード大学は、OFC2015で、50GHzを超える変調帯域のコンパクトなゲルマニウム(Ge)導波路EAMのデモを行った。
　最先端の消光比、低挿入損失とわずか10fFの超低静電容量を兼ね備えたEAM(電界吸収変調器)は、50Gb/sおよびそれを超える次世代シリコン集積光インタコネクトにとって重要な到達点となる。
　将来のチップレベル光インタコネクトは、変調効率や帯域、サイズや熱安定性など厳しい要件の集積光変調器を必要とする。imecとそのパートナーは、先進的なGe EAMs on Siを改善し、変調速度と変調効率を高め、静電容量を下げた。これは、imecの200㎜Siフォトニクスプラットフォームで可能になったように、Ge導波路における光場と電界の強い閉じ込めをフル活用することで得られた。EAMは、様々なSi導波路デバイス、高効率グレーティングカプラ、多様なアクティブSiデバイス、高速Geフォトディテクタとともに実装されており、このデバイスをベースにした光トランシーバの産業的普及に道を開くものとなっている。
　imecのプログラムディレクタ、Joris Van Campenhout氏は、この成果について「50Gb/sおよびそれを超えるデータコム用のSi光トランシーバ実現に向けた1つの到達点である」とコメントしている。