新しい半導体材料ゲルマニウム錫をシリコン基板上に積層

September, 29, 2014, Fayetteville--アーカンサス大学の研究チームは、新しい半導体材料、シリコン基板上に積層したゲルマニウム錫を開発した。この材料は、スマートフォンや車輌向けの高性能で安価な赤外カメラ実現に使用できる。
　「これらの単純な構造のパフォーマンスは、ゲルマニウム錫フォトディテクタが将来的に有望であることを示している」と電気光学准教授、Fisher Yuはコメントしている。
　研究チームは、シリコン上に集積された回路に損傷を与えることなくゲルマニウム錫の薄膜を堆積するプロセスを用いてデバイスを作製した。
　研究チームは、そのデバイスを様々な材料組成比率(0.9、3.2、7.0)でテストし計測した。温度範囲は、77～300ケルビン。研究チームは、今後のナイトビジョンアプリケーション向けに、デバイスの室温動作の道を探求しようとしている。
　コンピュータチップやエレクトロニクス向けにゲルマニウム錫の半導体材料作製に取り組んでいる研究グループは数少ない。この材料は、レーザや高効率太陽電池など、他のアプリケーションにも可能性がある。
　研究グループは、マイクロエレクトロニクス用のデバイスを製造するためにエピタキシャル装置を製造しているASM Internationalと提携している。また、アーカンサスにR&D会社、Arktonicsを設立し、材料とデバイスの商用化を検討する。