世界最大級GaN基板製造実証設備で4インチGaN結晶の成長を確認

November, 22, 2021, 東京--NEDOの「戦略的省エネルギー技術革新プログラム」において、（株）日本製鋼所と三菱ケミカル（株）は、パワーエレクトロニクス用大口径バルク窒化ガリウム（GaN）基板の実証開発に取り組んでいる。
　実証開発では2021年5月に竣工した世界最大級のGaN基板製造実証設備（大型実証設備）を使い、高品質なGaN基板の低コスト製造技術「SCAATTM-LP」を用いた4インチGaN基板の量産に向けた結晶成長試験を進めており、4インチGaN結晶が計画通りに結晶成長していることを確認した。

大型実証設備はパイロット設備のオートクレーブ（圧力容器）に比べ大幅なスケールアップを行っており、大量のGaN基板の製造が可能である。

今後は、超高効率デバイスの実現への貢献を目指し、4インチGaN基板のさらなる高品質化を継続する。
(詳細は､https://www.nedo.go.jp)