NTT､世界最高速、800GHz超トランジスタを開発

March, 31, 2020, 東京--日本電信電話株式会社（NTT）は、インジウムリン（InP）系化合物半導体結晶成長技術と、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）製造技術の高度化により、世界で最も高速な800GHzを超える電流利得遮断周波数を有するトランジスタの開発に成功した。
　このトランジスタを活用することで、集積回路の劇的な高速化・高性能化が可能になり、マルチTbps級の光伝送やテラヘルツ（THz）帯を利用した大容量無線通信、センシング・イメージングなど、将来のスマート社会を支える高度な情報通信システムやサービスの実現が見込まれる。これによりNTTは、IOWN（Innovative Optical and Wireless Network）やBeyond 5Gの世界を実現に向けて進む。
　開発技術の詳細は、IEEE Electron Device Lettersに掲載された。(https://ieeexplore.ieee.org/document/9044299)

(詳細は､https://www.ntt.co.jp)