シリコンベースIII-V半導体ナノワイヤレーザを開発

June, 3, 2019, Santa Clara--カーディフ大学(Cardiff University)の研究チームは､人の毛髪幅の1/10サイズ以下の小さな発光ナノレーザがシリコンチップ設計に組み込めることを示した｡
　フォトニックバンド端レーザは､超高速動作が可能であり､光コンピューティングから､リモートセンシングや赤外線追尾まで､世界中のエレクトロニクス産業の広範な新規アプリケーション提供に役立つ｡
　Diana Huffaker教授は､カーディフ大学の化合物半導体科学ディレクタ｡｢これは､フォトニックバンド端レーザが､どのようにパタンドシリコン･オン･インシュレータプラットフォームに直接集積できるかを示す初の実証である｣と同氏は話している｡
　｢シリコンは、半導体産業で最も広く利用されている材料。とは言え、コンパクトな光源をこの材料に集積することは難しかった。われわれの研究は、シリコンプラットフォームに集積された極微小レーザを開発することで、この障壁を打破した。これは、さまざまなシリコンベース電子、光電子およびフォトニックプラットフォームに適用可能である」と同氏は続けている。
　論文「パタンドシリコン-オン-インシュレータプラットフォーム上の室温InGaAsナノワイヤアレイ･バンドエッジレーザ」は、Physica Status Solidi – RRLに発表された。
　同教授の研究は、ナノスケールエピタキシ、製造と光電子デバイス。活動中のプロジェクトは、3Dナノレーザ、先端フォトディテクタおよびフォトボルテイクス。
　化合物半導体センター、Dr Wyn Meredithは、「この研究は、急拡大するフォトニクス分野に長期的に影響する｡特に重点が置かれるのは､マスマーケット通信やセンシングアプリケーション向けの大量､高い仕様の光コンポーネントのコモディティ化である｣とコメントしている｡
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