ImecとASML､新たに高NAオプティクスLab設立

November, 13, 2018, Leuven/Veldhoven--ImecとASML Holding N.V.は､広範な提携を次のステップに進めると発表した｡
　同時に､imecとASMLは量産向けにEUVリソグラフィの普及を加速する｡これには､現在最新のEUV装置も含まれる(0.3 NA)｡さらに､両者は次世代高NA EUVリソグラフィの可能性を調査する｡目的は､半導体をポスト3nm ロジックノードにスケールし､一段と小さなナノスケールデバイスに進めるためである｡この目的のために､両者は､共同で高NA EUV研究所を設立する｡
　ImecとASMLは､ほぼ30年間､共同研究を行ってきた｡2014年､両者は共同研究センタ､Advanced Patterning Centerを設立｡これは､リソグラフィ技術を進んだCMOS集積に最適化し､先進的パタニング要件をサポートするエコシステムを準備するためである｡ここで､ASMLの最先端､量産製造専用EUVスキャナ(NXE:3400B)をImecのクリーンルームに導入して､この協力関係を次のステップに進める｡Imecのインフラストラクチャと先進技術プラットフォームを利用することで､ImecとASMLおよびパートナー企業の研究者は､欠陥､信頼性､歩留まりなどの技術課題を事前に分析し､解決することができる｡また､それ自体が､EUVの産業化を早めることになる｡
　250W光源で､ASMLの最新EUVシステムのスループットは､時間あたり125ウエファ以上となる｡これは量産に向けた業界の最重要要件の一つである｡NXE:3400Bは､最新のアライメントセンサとレベリングセンサを装備し､この高スループットで最適プロセスコントロールを可能にする｡これは､NXE:3400Bと最新液浸スキャナ､NXT:2000iとのオーバーレイマッチングを促進する｡同スキャナは､2019年にImecのクリーンルームに導入されることになっている｡さらに､ASMLとimecは､ASML YieldStar光計測およびASML-HMI Multi-エレクトロンビーム計測器で計測能力を拡大し､ナノスケール構造をより正確に高速に評価できるようにする｡
　最先端のリソグラフィ開発を継続するために､増大する連携の第2部分は､高NA EUV共同研究ラボの基盤である｡このラボでは､両組織からの研究者が､より高いNAで次世代EUVリソグラフィを利用して実験を行う｡より高いNAのシステムは､より広い角度でウエファにEUV光を投影し､解像度を改善し､より小さな画像構造のプリントを可能にする｡さらに詳細に言うと､共同研究ラボに導入されることになっている新しい高NA EUVシステム､EXE:5000は､現在のNXE:3400 EUVシステムの0.33ではなく､NAは0.55となる｡すでに､高NA EUV導入を促進する初の共同科学プロジェクトが進行している｡共同研究ラボでは､ASMLとimecは､高NA EUVで最先端のナノスケールデバイスの製造時実験を行い､高NA EUV技術を産業導入するために装置と材料サプライヤのエコシステムを支援する｡
(詳細は､https://www.imec-int.com)