OSRAM､グリーンLEDの効率40%向上

May, 17, 2018, Regensburg--グリーンLEDの示す光出力の著しい低下(グリーンギャップ現象)が､効率問題､顧客のアプリケーションの高コストの原因だった｡InGaNベースグリーンLEDで､オスラム(Osram Opto Semiconductors)は､ティピカル順電圧を約600mV､大幅に減らすことに成功した｡同時に光出力が増加し､顧客はOsramの全UX:3ポートフォリオの先行製品と比較して､ただちに最大40%の効率改善の恩恵を受ける｡
　オスラムの開発者は､グリーン直接発光InGaN LEDのティピカル順方向電圧を600mV減らして､45A/㎝2のパワー密度で2.6Vとすることができた｡この恩恵は大きい｡特に､赤､青､緑のLEDを組み合わせて使うアプリケーションでは重要である｡3色すべてが3V以下の電圧を持つようになる｡ドライバは､以前はより高い電圧用に設計されていたが､今度は寸法を小さくすることができる｡これは､さらに散逸パワー損失とコストの両方を低減することになる｡効率改善の決定因は､改善された電荷キャリア輸送および､エピタキシャル層の最適化された材料品質である｡
　350mA､1㎜2 UX:3チップは､新技術により約530nm波長で効率175lm/Wを達成した｡ポンピング電流1Aで300lmを超える絶対光出力は､顧客にとっては新たなアプリケーションを開くことになる｡
　｢最近まで､このような効率値はグリーンダイレクト発光InGaN LEDで達成できないと考えられていたようだ｡われわれは､これまで蛍光体変換でしか達成されない領域に踏み込もうとしている｡蛍光体変換は､大幅な光品質をともなう｡当社の開発チームのお陰で､われわれはグリーンギャップ現象を大幅に低減することができた｣とオスラムのプロジェクトマネージャー､Adam Bauerはコメントしている。
　開発チームは現在､さらなる改善に取り組んでいる｡