UCSBとIQE、提携して大規模フォトニック集積を開発

March, 19, 2014, Cardiff--IQE plcの発表によると、ローコストと大容量通信アプリケーションを狙ってフォトニクスデバイスとシリコン技術の集積を可能にするシリコン基板次世代量子ドットレーザ開発支援にIQEのエピタキシャルウエハ技術が使われた。
IQEとカリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)の協力による成果はOFC2014で発表された(1)。
化合物半導体デバイスとローコストのシリコン基板を組み合わせたシリコンフォトニクスにより、高度なレーザデバイスと従来のローコストCMOSドライバ、導波路技術の集積が可能になる。
研究者グループは、この成果が大規模光集積への重要な一歩であると捉えている。これにより、コンシューマアプリケーション向けの超低コスト製造が可能になり、シリコンフォトニクスの大量普及につながる。
フォトニクスデバイスとシリコン技術の経済的な集積を可能にするための要点は、MBE成長技術を用いて化合物半導体「量子ドット」をシリコン基板に成長できること。
UCSBの研究チームは、新しい量子ドットレーザ設計を実証した。この設計では、シリコン上に成長させるだけでなく、本来の基板に成長させたレーザと同等のパフォーマンスを示している。
IQEは、エンジニアドGe/Si基板とIII-V MBEテンプレート成長の両方を提供。量子ドットレーザの成長と、レーザコンポーネントの製造はUCSBで行った。

参考文献
(1) “High Performance 1.3μm InAs Quantum Dot Lasers Epitaxially Grown on Silicon”W4C.5.