AIMS EUVプロジェクトで大きな前進

February, 26, 2014, Jena--ZEISS半導体製造技術事業グループによると、同グループは紫外線空間像計測システムAIMS EUVの開発で大きく前進した。同システムのプロトタイプで初めてEUVフォトマスクの画像を撮影した。
AIMS EUVプラットフォームは、11nmハーフピッチ(HP)ノードに拡張できる16nm HP技術ノードの要件をサポートする欠陥のないEUVLマスクの開発と製造にとって極めて重要なツールとなっている。そのため、このツールの開発はEUVLマスクインフラストラクチャ(EMI)コンソーシアムの活動の一環となっている。SEMATECHは、EUVでマスク計測領域における重要なインフラギャップに対処するために2010年にEMIを立ち上げた。
「AIMS EUVツールは、半導体産業のために造られた最も正確な光計測装置の1つとなる。ZEISSが撮った初めての画像は、生産可能なツールを作製する上で大きな進歩を示している。EUVを準備完了にするにはマスクの欠陥が重要な課題として残っており、AIMSが実現に向けて進んでいることはすばらしいの一言につきる」(SEMATECHのインテル代理人、EMIプログラムマネージャ&シニア主席物理学者、Michael Goldstein氏)。
システムの解像度はすでに卓越しており、AIMS EUVシステムの仕様を達成している。最初の画像は、ウエハレベルで16nm HPに相当する64nmマスク構造で撮られた。今年中に最初の顧客マスクをこのシステムで計測することになる。
並行してAIMS EUV補完インフラの準備も進んでいる。