POET、集積オプトエレクトロニクス技術プラットフォーム商用化で前進

August, 12, 2016, San Jose--POETテクノロジーズ(POET Technologies Inc)は、完全集積オプトエレクトロニクス技術プラットフォームの開発目標に向けて大きく前進したと発表した。
　達成した画期的な成果は、独自の同じエピタキシャルで初の250nm有効ゲート長までの機能的ヘテロ接合FET(HFET)実証、これはハイパフォーマンスディテクタ実証のためにこれまでに用いた同じ集積プロセスシーケンスを利用している。この成果は、POETの現在の市場目標であるアクティブ光ケーブル(AOC)の3つの主要コンポーネント、ディテクタ、HFETおよびレーザをシングルチップに集積しようとするPOETの構想の最新成果である。
「集積オプトエレクトロニクス製品の3つの重要個別部品のうちの2つは、現在それぞれの最適化サイクルに入っている」とPOETのCOO、Dr. Subhash Deshmukhはコメントしている。「すでに発表したように、VCSELの目標完了は遅れていた。VCSELは、引き続きわれわれの注目点であるが、同時に技術の他の側面も前進している。今日までのVCSELの評価は、非常に複雑で独特のエピタキシャルスタックにおけるレイヤで最適化、および共振器モードの微調整が必要であることを示している。新しい最適化されたエピタキシャル構造は、今後数カ月で、処理のためにファンドリに提供される」と同氏は話している。
　POETは、所望のサイリスタ特性を持つVCSELの電気的機能、VCSELキャビティの光励起を通じた発振モードの実証はすでに行っている。しかしVCSELの電気励起を可能にするために、研究チームはエピタキシャルスタックの一部を再設計する必要があった。VCSEL機能は実験室設定ではこれまでに評価されており、その最初のレーザ機能は再テストされ、確認されている。
(詳細は、www.poet-technologies.com)