原子厚電子&光デバイス作製で前進

April, 27, 2016, Nashville--オークリッジ国立研究所(ORNL)がヴァンダービルト大学(Vanderbilt University)の物理学者の助けを借りて前進させたエピタキシにより、原子厚のオプトエレクトロニクスデバイスの将来世代が、トランジスタ、フォトディテクタ、太陽電池を含めて、実現に一歩近づいた。
　結晶面に結晶膜層を成長させるプロセスであるエピタキシは、デジタル革命の中核にある半導体製造プロセスの基幹をなす。この方法で成長させることができる材料の種類は非常に限られているが、エピタキシプロセスは成功を収めている。ほぼ同じ原子構造の結晶材料だけがこの方法で結合し、電子デバイスに適合する。
　しかしORNLのチームは、格子不整合の2種類の半導体2D単分子層をいっしょにスタックして原子厚の太陽電池を作製した。その成果は、全く新しい機能の超薄型オプトエレクトロニック材料を実現に向けた不整合層統合の明るい見通しを実証するものである。
　「この成果は、わずか1原子厚の2D材料の有望性を示すものであり、これが実際の世界で将来のアプリケーションに向けたデバイスを生み出すことになる」とヴァンダービルト大学のSokrates Pantelides氏はコメントしている。
(詳細は、www.ornl.gov)