オスラム、白色と青色高出力LED発光効率7.5%向上

April, 14, 2016, Regensburg--オスラム(Osram Opto Semiconductors)は、高電流での無用の効率低下効果を減らすことで高出力LEDの発光効率を著しく改善した。この開発は、最適化されたエピタキシャルプロセスによって可能になった。電流密度3A/mm2で、LEDの量子効率は、現在、従来レベルより7.5%改善されている。
　電流密度が増すにつれて現れる無用な効率の落ち込みは通常、「ドループ」と言われ、InGaNベースのLEDの最大発光効率を制限する。したがって、世界中で、精力的なR&D活動のテーマとなっている。オスラムのエンジニアは、この効果を大幅に抑制することができるようになっており、したがってLEDの効率は大幅に向上する。実験室条件下、電流密度3A/mm2で、典型的な光束740lmをQFN LEDパッケージで確認。従来の典型値(6200 K, Cx 0.319, Cy 0.323, シングルチップバージョンLDxyz)と比べて約7.5%の改善である。低電流密度0.35A/mm2では、最適化されたLEDの利点はまだ4％程度。「われわれは、エピタキシーを大規模に見直して改善することでドループ効果を著しく低下させることができた」とプロジェクトマネージャ、Dr. Alexander Freyはコメントしている。
　新しいプロセスは、UX:3チップ技術に基づいて、オスラムのすべてのLEDに採用されていくことになる。また、他のハイパワー製品にもプラスの影響を与える。