16×25G WDM PICを射程にしたIII-V量子ドット/ダッシュ・on Si

October, 23, 2015, Paris--ヨーロッパのFP7プロジェクト、SEQUOIAにおいてシリコンPICで大きな前進が達成された。
　プロジェクトの大きなイノベーションは2つ、新しいIII-V材料、つまり量子ドット(Qdot)と量子ダッシュ(Qdash)ベースの材料の利用、それにハイブリッドIII-V/ Si集積により新しいフォトニックデバイスコンセプトの開発。
　Sequoiaプロジェクトは、2013年10月1日にスタートした。第一期中にQdot/Qdashの品質は著しく改善され、カセル大学(University of Kassel)は先頃、Qdotレーザの直接変調で34Gb/sを実証した。併せてQdotウエファのシリコンウエファへのボンディングが成功した。PIC最終デモンストレーションは2つのタイプが設計されている。チャープマネージドレーザ(CMLs)直接変調25Gb/sと、カスケードリング共振変調器を集積したコムレーザ。これらのPIC、16WDMチャネルを利用することで400Gb/sの容量が可能になり、新しい材料と集積プロセスの利用により、低コストと機能を強化したパフォーマンス向上が可能になる。
　コンソーシアムは、InPベースフォトニクスとIII-V on Siハイブリッド集積で世界的な研究機関の1つ、III-V Labが主導している。ドイツのパートナー2機関は、ドルトムントのイノルーメ(Innolume)とカセル大学。両機関は、Qdot材料とIII-Vオプトエレクトロニクスで傑出した成果を挙げている。CEA-Letiは、シリコンフォトニクス分野の世界的研究機関の1つで、シリコンPICの設計と製造の両面で力を持っている。
(詳細は、www.3-5lab.fr)