Qorvo、新しいGaAsプロセス技術で光帯域拡張

April, 1, 2015, Greensboro--Qorvo, Incは、新しいGaAs pHEMT(スードモルフィック高速電子移動度トランジスタ)プロセス技術を発表した。これによって、競合半導体プロセスと比べて利得/帯域が高くなり、消費電力が低下する。
　Qorvoの新しいTQPHT09は、90nm pHEMTプロセスで、Qorvoの次世代光製品ポートフォリオをサポートする。同社の業界をリードする信頼性と相俟ってこの新しいプロセスは、100G＋リニアアプリケーションに必要とされる次世代高周波、ハイパフォーマンス増幅器に最適である、と同社は説明している。
　テキサス州リチャードソンの同社GaAs製造工場で製造されたTQPHT09は、同社の確立されたpHEMTプロセスポートフォリオの最新製品となる。TQPHT09は、同社の最も先端的なクワッドチャネル100G変調器ドライバであるTGA4960-SLを含むいくつかの新しい光変調器ドライバ製品の基盤となる。TGA4960-SLは、メトロや長距離アプリケーション向けのCFP2フォームファクタで使え、またラインカードアプリケーション向け100Gリニア・デュアルチャネルドライバのアップグレードに最適である。ハイパフォーマンス、低消費電力、高いチャネル間アイソレーションとなるように最適化されており、業界最小の14.0×8.0×2.6㎜ SMTモジュールにパッケージされている。