ディスカバリ セミコンダクターズ、宇宙認定アプリケーション向けに新しい拡張InGaAsフォトダイオードとフォトレーパを発表

July, 3, 2024, Ewing--Discovery Semiconductors Inc.は、同社の拡張InGaAsフォトダイオード技術を利用した複数の新製品を様々な宇宙アプリケーション向けに発表した。
デバイスは、多くの構成で入手可能である。シングルフォトダイオード、バランストフォトダイオード、増幅光レシーバが多様なパッケージで提供される。例えばファイバカプルド、KあるいはSMAコネクタ付バタフライモジュール、同軸コネクタなしのファイバ結合SMT、ブロード反射防止コーティングフリースペースTO-5パッケージ。

これらのデバイスは、宇宙で適切な機能を確実に発揮するように広範な信頼性、放射線テストを実施している。同社は、NASAの材料国際実験装置(MISSE) 9ミッションで国際宇宙ステーション(ISS)までデバイスの飛行に成功した。また、そのデバイスとパッケージング技術が厳しい宇宙飛行、宇宙から地球への再突入に耐えられることを実証した。

これら拡張InGaAsデバイスを必要とする宇宙アプリケーションは多い。これには分光学、光通信リンク、ラピッドドップラーシフトLiDARが含まれる。パッケージ化されたデバイスは、特殊ミッションで極低温から+125℃までの幅広い温度範囲で動作する。これらのデバイスの利用可能な帯域は、数MHz～10+GHzまでの範囲である。光ダイナミックレンジは、光入力信号の数フェムトワットから50mWの幅が考えられ、これはデバイスの構成とアプリケーションに依存する。デバイスの波長は、25℃で800nm～2400nmをカバーしており、直接検出およびコヒレント検出の両方に最適である。

データシートは、関連する仕様の一覧で入手可能である。