CWDM4波長「200Gbps（112Gbaud PAM4）EMLチップ

March, 6, 2023, 東京--三菱電機株式会社は、次世代データセンタ向け800Gbps、1.6Tbps光トランシーバに搭載される光デバイスにおいて、従来の100Gbps製品(三菱製品)比2倍の高速動作を実現した「200Gbps（112Gbaud PAM4）EML4チップ」を開発した。

詳細は、「Optical Fiber Communication Conference and Exhibition（OFC）2023」（2023年3月5日～3月9日、於：米国・サンディエゴ）で発表。

近年、動画配信サービスの普及や情報のクラウド化によるデータ通信量の爆発的増加を背景に、データセンタ内でデータ通信経路を切り替えるスイッチを構成する光トランシーバには、従来の400Gbpsから、800Gbpsや1.6Tbpsへの高速大容量化が求められている。

今回開発した「200Gbps EMLチップ」は、独自のハイブリッド導波路構造の採用により、200Gbpsの高速動作を実現した。また、CWDMの4波長に対応した4つのチップの信号を合波させることで1本の光ファイバで800Gbpsの通信、さらにはチップを8つに増やすことにより1.6Tbpsの通信が可能となり、データセンターの高速大容量化に貢献する。

(詳細は、https://www.mitsubishielectric.co.jp)