1550nmに最適化されたInGaAsアバランシュフォトダイオード

June, 28, 2021, Waltham--Excelitas Technologies Corpは､新しい高速､大面積C30645L-080 and C30662L-200 InGaAs SMD Avalanche Photodiodes (APDs)を発表した｡
　1000nm～1700nmのスペクトル範囲で高量子効率､高応答性､低雑音のExcelitasの最新高性能InGaAs APDsは、1550nm波長に最適化されている｡3 x 3 mm²サイズセラミック表面実装パッケージは､大量の商用および産業用アプリケーションへの組込が容易｡これにはアイセーフレーザ測距システム､LiDAR TOFシステムが含まれる｡

C30645L-080 およびC30662L-200 InGaAs SMD APDの特徴
･コンパクト､ロバスト3 x 3 mm²SMTパッケージは､コスト効果の優れたオプションであり､ロボットピック&プレイスツールに適合｡また､様々なシステム設計への組込が容易｡
･高応答性により､優れたSNRを可能にする最大信号が得られる
･低暗電流と雑音は､SNRを最大化
･大きな検出アクティブエリア80µm､200µmは､オプティクス組込を容易にする
･1000 nm – 1700 nmのスペクトル応答により､このAPDsは､一般入手可能な1300 nm – 1600 nm範囲のレーザに適している｡

｢システムがますますコンパクトになっているので､C30645L-080 や C30662L-200が提供する小型化されたパッケージがシステムインテグレーションに重要になる｡加えて､量が増え､新しいTOFアプリケーションが出てきているので､この分野の市場ニーズを満たすためにより経済的な大量製造能力も必要になっている｡当社の新しいコンパクトなSMT InGaAs APDsは､こうしたことを念頭に設計されているので、設計エンジニアは､コスト効率の優れたパッケージを利用できる｡様々な商用および産業用アプリケーション開発向けにフィルタ組込みができるようになっている｣と同社フォトンディレクタ､製品リーダー､Denis Boudreauは説明している｡

C30645L-080 と C30662L-200向けのパッケージデザインとアセンブリ加工技術は､ダイ位置決めがリファレンス面に十分に制御できるようになっている｡これは､光素子のパッケージへのアライメントに役立ち､市販入手可能プラスチックリードフレームTOパッケージの多くと比べて、著しく優れている｡

(詳細は､https://www.excelitas.com)