October, 15, 2020, Camarillo--Opto Diode Corporationは、超高出力のガリウムアルミニウム砒素(GaAlAs )近赤外LEDイルミネータ、OD-663-850を発表した。特に監視と暗視アプリケーション用途に設計されたデバイスは、ピーク波長850nm、非常に均一な光ビームが特徴。
他の特徴に含まれるのは順電圧4.8V(ティピカル)~5.4ボルト(最大)で、300mW(最小)~425mW(ティピカル)総出力。スペクトル帯域は40 nm、半強度ビーム角は120°。逆ブレークダウン電圧は、最小5V~30V(ティピカル)、立上り/立ち下がり時間は、それぞれ100ns。
標準2リードTO-66電気絶縁パッケージに収容されたOD-663-850は、高出力近赤外照射に最適。2.2W消費電力で、オプトダイオードのGaAlAs IRLEDの特徴は、連続順方向電流400mA、ピーク順電流1A、逆電圧5V。リードハンダ温度(10秒でケースから1/16”)は260℃。ストレージおよび動作温度は、40℃~100℃、最大ジャンクション温度は100℃。
(詳細は、https://optodiode.com)