ネオフォトニクス､400G向けに53GbaudリニアIC出荷

July, 18, 2019, San Jose--ネオフォトニクスは､400Gデータセンターアプリケーション向けシリコンフォトニクスベース変調器用53GbaudリニアドライバIC出荷を発表した｡
　出荷は､53GbaudリニアドライバICの早期限定数量で､波長あたり100Gデータセンター光トランシーバモジュールのシリコンフォトニクスベースMZMチップで動作するように設計されている｡
　これら高性能ドライバICは､ネオフォトニクスの実証済み､社内GaAsウエハ製造工場を利用して製造され､シングルおよびクワッドフォーマットの両方で提供可能である｡
　シリコンフォトニクス(SiPho)が､データセンター内500m程度(DR)の中距離光データ伝送の有望技術として登場してきており､複数のベンダが､53Gbaud SiPho変調器チップを設計している｡これは､個別の4チャネルで100Gbpsを達成するPAM4エンコーディングを利用して､4個の個別光信号を変調できるものであり､モジュールはトータルで400Gbpsとなる｡これらSiPho変調器チップ設計は､PAM4 DSPチップで使われているCMOSエレクトロニクスで通常生成されるよりも､一般に大きな電圧振幅を必要とする｡ネオフォトニクスLinear Driver ICは､電気信号を増幅する｡SiPho変調器を動作させる適切な信号になり､所望の光信号を生成するためである｡ネオフォトニクスQuad Driverチップは､4個の個別ドライバを1個のコンパクト､低消費電力チップに統合しており､QSFPやQSFP-DDなどのコンパクトなプラガブルモジュールをサポートする｡
　これらSiPhoベーストランシーバは､変調器への初期入力光を供給するハイパワーレーザも必要としている｡ネオフォトニクスは､そのようなハイパワー､非気密封止レーザを提供しており､すでに量産出荷を始めた｡これらのハイパワーDFBレーザは､Telcordia GR-468-CORE Issue 2に準拠した非気密封止テストで品質認定されている｡

(詳細は､https://www.neophotonics.com/)