imec､CCD-in-CMOSベースTDIイメージャにUVセンシング機能追加

November, 14, 2018, Stuttgart--imecは､Vision 2018で、CCD-in-CMOS技術に基づいた高速度・紫外線に感度があるTDI（time-delay-integration:時間遅延積分）イメージャを展示した。
　TDIイメージャは、近紫外（near-UV）領域で70％以上の量子効率を持ち、産業用マシンビジョン、特に半導体製造工程における検査ツールに適している。スペシャリティ・イメージャは、imecのCCD-in-CMOSベースTDIイメージャ製品ポートフォリオを拡大し､フルカスタム設計から評価カメラまで、様々なビジネスモデルで提供される。

新しいイメージャは､imecのTDI CCD-in-CMOS技術を用いて製造された｡これはCCD TDIピクセルとCMOS読出しを1つの技術に統合したものである｡この組合せにより,両分野の最高性能が単一ラインスキャニングイメージャで可能になり､ローノイズ､高感度TDIパフォーマンス､低消費電力､高速で複雑な読出し回路のオンチップ集積化が実現した｡

UV感度は､専用反射防止コーティングと組み合わせたimecの裏面照射技術を適用することで達成されている｡裏面照射により､光は裏面から直接イメージャに入り､画像センサの量子効率を著しく高める｡UV限定の反射防止膜を着けることで､250-400nmの(近)紫外領域で70%を超える高ピーク量子効率が達成されている。可視光よりも短波長に感度があることで､そのイメージャは微細構造を検出できる｡したがって､同技術は､マスク､ウエファや粒子検査などの半導体検査アプリケーションで特に魅力的である｡
　TDIセンサは､130nm CMOSプロセスフロー内imecのCCDプロセスモジュールを利用して200㎜ウエファで製造される｡そのコスト効率の優れた製法は､他のウエファレベル後処理技術､TDI性能を高めるためのスペクトルフィルタ組み込みに適合している｡結果として得られたセンサは､高感度､高速(最高300kHzラインレート)で､低消費電力である｡
(詳細は､https://www.imec-int.com)