CST Global､埋込ヘテロ構造レーザダイオード開発スタート

September, 26, 2018, Kista--CST Globalは､同社の商用MOCVDリアクタで､埋込ヘテロ構造(BH)レーザダイオード製造機能の開発を開始した｡
　現在､この種の単一周波数デバイスの供給が不足しており､その製造能力が世界的にボトルネックになっている｡BHレーザは､PONや量子センシング市場を含む､多くのシリコンフォトニクスアプリケーションに適している｡
　BHレーザの活性層は､InPエピタキシャルオーバーグロース層で覆われており､これにはMOCVDが用いられる｡これは､光学的､電気的閉じ込めを同時に行う特殊半導体構造を造り､併せて高い熱性能､光ビーム形状､ローノイズ､半導体光増幅も得られる｡　
　CST Globalの販売･マーケティング担当VP､Euan Livingston氏は､｢BHレーザダイオード開発プロジェクトで､CST Globalは､このタイプのレーザの高需要に対処できる｡この種のレーザは､シリコンフォトニクス､クラウドデータセンタアプリケーションに使用されている｡標準的レーザに対するBHレーザの優位性は多い｡例えば､低閾値電流､高速変調能力などだ｡加えて､エピタキシャル層は､均一であり､大型マルチ基板に同時に成長できるので､製造は高歩留まりであり､相対的に迅速かつ簡素である｣と説明している｡
(詳細は､https://www.cstglobal.uk/)