SilvacoとFraunhoferISIT、次世代GaNデバイス技術で提携

August, 1, 2025, Santa Clara--Silvaco Group, IncとFraunhofer ISITは戦略的研究開発協力を発表した。
AIソフトウェアと自動化を通じて革新的な半導体設計とデジタル・ツイン・モデリングを可能にするTCAD、EDAソフトウェア、SIPソリューションを提供するSilvaco Group (シルバコ)は、Fraunhoferシリコン技術研究所 (ISIT) との戦略的研究開発協力を発表した.このパートナーシップは、シルバコの業界をリードするPower Devices Solutionを使用して、Design Technology Co-Optimization (DTCO) を実行する次世代の窒化ガリウム (GaN) デバイスの開発を加速することを目的としている。このコラボレーションは、Fraunhofer ISITがAPECSパイロットライン(www.apecs.eu)への参加を通じて、EUチップ法イニシアチブで果たす役割と一致している。

Fraunhofer ISITのパワーエレクトロニクス部門は、高性能パワーエレクトロニクスおよびセンサシステム向けの最先端のデバイスプロトタイプの開発と製造の最前線にある。Fraunhofer ISITは、Victory TCADプラットフォーム、Utmost IV、 SmartSpiceなど、シルバコの業界をリードする設計ツールを活用して、電源およびセンサ・デバイス開発のための設計技術協調最適化 (DTCO) を実行する。シルバコのDTCOプラットフォームは、8インチ・ウェハ上のGaNおよびMEMS技術の新たなプロセスを探求するために設立されたFraunhofer ISITのポストCMOSプロセス環境でのプロトタイピングの加速化を可能にする。さらに、シルバコのVictory Design of Experiments(DOE)ソリューションは、開発ワークフローを合理化し、新しいプロセス・モジュールや新しいデバイス・コンセプトの評価における迅速なイノベーションをサポートする。

「このコラボレーションは、欧州の半導体能力を強化し、GaNデバイスの世界的な進化を推進するための大きな一歩となる」と、シルバコのTCADディビジョンのシニア・バイス・プレジデント兼ゼネラル・マネージャEric Guichard、Ph.Dはコメントしている。「Fraunhofer ISITのような機関は、デバイスおよびプロセス技術のイノベーションの限界を押し広げる役割を果たしている。Fraunhofer ISITとの協力により、彼らの開発作業を加速させるだけでなく、将来のデバイス設計の要求を満たすために独自のTCADツールを強化することができる。」

「SilvacoのVictory製品でGaN設計能力を拡大できることを嬉しく思う」と、Fraunhofer ISITのアドバンスト・デバイス・グループ責任者であるMichael Mensing、Ph.Dは話している。「Silvacoの先進的なTCADソリューションを使用することで、われわれのチームはGaNデバイスの性能をより深く、より効率的に探索、理解、最適化することができる。特に、Qromis® Substrate Technologyのようなエンジニアリング基板に基づく高電圧の横型および縦型GaNデバイスの現在の開発では、正確に較正されたプロセスとデバイスモデルを必要とする多くの物理的影響が見られる。」

Fraunhofer ISITは、SilvacoのツールをR&Dや業界の顧客プロジェクトで積極的に活用するだけでなく、SilvacoのVictory TCADプラットフォームを活用するための地元の大学の学生を訓練し、次世代の半導体デバイス・エンジニアを育成する。
(詳細は、https://investors.silvaco.com)