窒化ガリウム半導体デバイス市場、2030年までに124億7000万ドルに達する見込み

June, 26, 2024, San Francisco--グランドビューリサーチ社の新しいレポートによると、世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場は、2030年までに124億7000万ドルに達すると予想されており、2024年から2030年にかけてCAGR 26.4%で成長すると予測されている。世界中のさまざまな消費者向け電子機器アプリケーションで使用される急速充電器の需要の高まりが、市場の成長を牽引すると予想されている。AppleやSamsungなどのさまざまなスマートフォン企業は、顧客体験を向上させ、競争上の優位性を獲得するために急速充電器の開発に取り組んでいる。

窒化ガリウム半導体は、潜在的なエネルギー節約を提供するためにデータセンターサーバーでも使用されており、市場の成長に貢献している。クラウドテクノロジーの普及により、大量のエネルギーを消費するデータセンターの拡張が必要になる。エネルギー損失を軽減する1つの戦略は、データセンター内で電力を転送するときに電力変換の段階全体をなくすことである。

現在、電力は2回の変換を経ている。バックプレーンの48Vから処理ボードに分配するための12Vへ、そして最終的に使用時点で約1Vへ変換される。窒化ガリウムの高速スイッチング速度、コンパクトなサイズ、および効率の向上を活用することで、電源設計者は、使用時点で48Vから必要な1Vへ直接変換できるようになり、12Vでの中間ステップをバイパスできるようになった。このシングルステージアーキテクチャは、特にコンピューティングパワーとクラウドインフラストラクチャをサポートするデータセンターの急速な成長を考慮すると、大幅なエネルギー節約の可能性を秘めている。

GaNの拡張モードバージョンは、宇宙アプリケーションの開発で広く使用されており、市場の成長をさらに促進している。これらのデバイスは、従来のシリコン技術ベースの耐放射線デバイスと比較して高性能であるため、企業の間では商用GaNパワーデバイスの需要が高くなっている。GaNパワーデバイスは、ドローン、衛星、宇宙船、ロボットなどのアプリケーションで使用されている。