GaN半導体デバイス市場､2026年に249億ドル

June, 24, 2021, Northbrook--マーケッツ&マーケッツ(MarketsandMarkets)のレポート｢窒化ガリウム(GaN)半導体デバイス市場､COVID-19の影響分析､デバイスタイプ(RF､パワー､オプト)､ウエハサイズ､アプリケーション､業種(コンシューマとエンタプライズ､自動車､テレコム)､地域､2026年までのグローバル予測｣によると､市場は､2021年の194億ドルから､2021-2026年にCAGR 5.2％成長で､2026年に249億ドルに達する見込である｡
　この市場の成長を後押しする主因は､革新的なアプリケーションを促進するGaN材料のワイドギャップ特性､RFパワーエレクトロニクスにおけるGaNの成功､防衛や航空宇宙アプリケーションでGaN RF半導体デバイスの採用増｡

予測期間にRF半導体デバイスが2番目に高CAGR成長
　GaN RF半導体市場は､予測期間に2番目に高いCAGRが見込まれている｡当初､イラクにおける簡易爆発物(IED)ジャマーに開発されてから､GaNは､全ての新しいマイクロ波やミリ波エレクトロニクスの最適技術となった｡用途は､レーダ､サテライト､通信､電子戦争｡VHF､UHFおよびマイクロ波バンドにおけるハイパワーニーズ増加により､10GHzおよびそれ以上のRF周波数で数10から数100Wが供給できるデバイスの需要につながった｡この需要は､GaNの今後の市場成長を促進する｡

6インチおよびそれ以上のGaNウエハセグメントが予測期間に最高CAGR
　ウエハサイズでは､GaN半導体デバイス市場の6インチおよびそれ以上のGaNウエハセグメントが､予測期間に相対的に高成長の見込｡このサイズのウエハによりメーカーは､生産性を高め､シングルバッチで多数のデバイスを製造することができる｡これは､6インチウエハ製造コスト全般の低下に役立ち､市場で最もコスト効果が高いGaNウエハの一つになる｡これは､企業が､近年､6インチおよびそれを上回るGaNウエハをベースにした半導体デバイスを開発する主因の1つになっている｡

2026年､APACがGaN半導体デバイス市場で最大シェア
　APACは､2026年､GaN半導体デバイス市場で最大シェアをとる見込である｡APAC､中国､台湾､韓国などのアジア諸国では､多くのファウンドリ､ウエハ､製造､アセンブリ､テスト､パッケージング工場における産業活動が飛躍的に成長した｡同地域は､電気自動車の製造と輸入の増加とともに､国内消費も増加する｡電気自動車の採用増､同地域での充電ストーションの確立により、GaN半導体デバイス市場の機会は､将来的に加速すると予測されている｡