Globalfoundries､データセンター需要爆発に備えてSiフォトニクス拡張

March, 20, 2018, Santa Clara--GLOBALFOUNDRIESは､データセンターやクラウドアプリケーション向け次世代光インタコネクトを実現する同社のシリコンフォトニクスロードマップの詳細を発表した｡同社は現在､300㎜ウエハを使用する業界初の90nm製造プロセスの品質認定を終えた｡一方で､さらなる帯域増とエネルギー効率改善のために次の45nm技術を発表した｡
　GFのシリコンフォトニクス技術は､今日の世界的通信インフラストラクチャにおけるデータ転送の激増をサポートするように設計されている｡電気信号を使って銅線でデータを伝送する従来のインタコネクトの代わりに､シリコンフォトニクス技術は光パルスを使い光ファイバで､より多くのデータをより高速に､長距離に伝送し､同時にエネルギー損失も最小化する｡
　GFのASIC事業ユニットのシニアVP､Mike Cadiganは､｢爆発的な帯域需要が､新しい世代の光インタコネクト需要を刺激している｡当社のSiフォトニクス技術により顧客は､膨大なデータ量を転送するために前例のない接続レベルを供給することができる｡それはデータセンター内のチップ間でも､数百あるいは数千マイル離れたクラウドサーバ間でもかまわない｣とコメントしている｡
　GFのシリコンフォトニクス技術により､微小な光コンポーネントは1個のシリコンチップ上で電気回路と集積できる｡この｢モノリシック｣アプローチは､標準のシリコン製造技術を利用して､生産効率を改善し､光インタコネクトシステムを導入する顧客のコストを削減する｡

300㎜で提供可能
　GFの現行世代シリコンフォトニクス提供は､90nm RF SOIプロセスに立脚している｡これは､高性能RFチップ製造における同社の世界最高クラスの経験を利用したものである｡同プラットフォームは､800Gb/sまでのクライアント側データレート30GHz帯域､120kmまでの長距離をサポートするソリューションを可能にする｡
　以前は200㎜ウエハプロセスで製造されていたこの技術は現在､GFのFab 10ファシリティで､より大口径の300㎜ウエハで品質認定されている｡300㎜への移行により､生産量拡大､生産性向上､さらに光損失の2倍低減が可能になり､伝送距離が延び､光システム効率が向上する｡
　90nm技術は､Cadence Design Systemsから､E/O/Eコデザイン､偏光､温度と波長パラメータの完全PDKによってサポートされている､また技術検証とモデリングからMCM製品テストまで5つのテスト分野を含む分化されたフォトニックテスト機能もサポートしている｡

今後のロードマップ
　GFの次世代モノリシックシリコンフォトニクス提供は､45nm RF SOIプロセスで製造される､製造は2019年の予定｡さらに進んだ45nmノードを利用することで､その技術による､次世代テラビットアプリケーションに対処するために､さらなる定位消費電力､小型化､大幅な高帯域光トランシーバ製品が可能になる｡
(詳細は､www.globalfoundries.com)