オランダ研究機関に高輝度EUV光源を初出荷

February, 16, 2016, 東京--ウシオ電機（ウシオ）とオランダ応用科学研究機構（The Netherlands Organization for Applied Scientific Research： TNO）は、次世代の半導体製造用極端紫外光（EUV）露光技術の開発を目的とした、戦略的パートナーシップの締結を発表した。
　ウシオとTNOは、EUVの光学系やレチクルに影響を及ぼす紫外線を研究する目的で、新しい実験的なEUV露光と分析を行なう施設を共同で建設している。EBL2と呼ばれるこの新しい施設は、今後の露光装置の出力ロードマップにおいて予見される、あらゆる極端紫外光の状態下で発生する表面汚染の影響について、理解を深めるという両社共通のゴールを支援する。
　この研究施設の建設により、次世代の露光装置、マスク、ペリクルの開発は加速化される。ウシオの高輝度SnLDP（レーザアシストプラズマ放電方式）EUV光源は、露光装置の状態と類似した管理された環境下で、EUV光を供給する。サンプルの取り扱いと搬送は自動化され、クリーン度はEUV製造にふさわしい最先端半導体製造のクリーン度に匹敵する。
　ウシオのSnLDP EUV光源はクセノン光源に比べ、およそ5倍から10倍の輝度と出力を達成することが可能。したがって、2017年以降の導入が計画されているEUV露光に伴うEUVマスク検査のスループットにも対応することができる。
　EUVマスク技術は、EUV露光の事業化にとって重要であり、マスクブランクス欠陥検査（ABI：Actinic Blank Inspection)やマスクパターン欠陥検査（API：Actinic Pattern Inspection)などのようなEUVマスク検査装置の開発が必要となる。ウシオでは、検査用光源をマスク検査装置メーカーに提供することで、装置メーカーおよびマスクメーカーのマスク検査プロセスを支援していく。
(詳細は、www.ushio.co.jp)