MACOM、HRLの40nm GaN-on-SiCプロセスを製造

November, 11, 2025, Lowell--半導体製品の大手サプライヤMACOM Technology Solutions Inc.(MACOM)は、HRL独自の40nm T3L GaN-on-silicon carbide(GaN-on-SiC)プロセス技術のライセンス供与および製造に関する契約をHRL Laboratories(HRL)との締結を発表した。
HRLとMACOMは、この独自の半導体プロセスのプロセスをHRLの施設からMACOMの米国信頼できるファウンドリの1つに迅速に移管するために協力する。この契約に基づき、MACOMはT3Lプロセスに基づく製品を製造する独占的ライセンスを取得する。

ボーイングとゼネラルモーターズが共同所有するHRLは、革新的なRFおよびマイクロ波GaN-on-SiCプロセス技術の研究開発のパイオニアとして長い間認められてきた。T3Lは、独自のエピタキシャル構造と高度なゲート設計を採用しており、ミリ波周波数での優れた性能と信頼性の向上に貢献している。このプロセスは、商業および防衛アプリケーションをサポートするのに最適である。

T3Lは、国防次官室(OUSD)の最先端の高周波窒化ガリウム(STARRY NITE)および国防研究高等計画局(DARPA)のダイナミックレンジエレクトロニクスおよび材料(DREaM)プログラムの下でHRLによって成熟し、所有者の寄付を含む追加のHRL資金も提供された。

「HRLと提携できることを嬉しく思う。緊密な協力関係を確立することを楽しみにしている。T3Lは業界で最も先進的な高周波半導体プロセスの1つであり、既存のポートフォリオを強化し、ロードマップの実行を加速すると予想している」とMACOMの社長兼最高経営責任者Stephen G. Dalyはコメントしている。「われわれはSTARRY NITEやDREaMプログラムに参加していなかった。しかし、MACOMと当社の顧客は、この技術を産業化するにつれて、すぐに結果の恩恵を受けることになる。」

「MACOMとのこの新しい関係は、技術コンセプトの開発と実証、そしてそれらを生産に移行するHRLの専門知識を示している。当社のGaN-on-SiCプロセス技術は、長年の勤勉な取り組みによって確立されてきた。MACOMと提携して、この取り組みを量産段階へと進めていくことを嬉しく思う」とHRLの社長兼最高経営責任者Rob Vasquezは話している。