Scintil、Tower Semiconductorの生産において、III-V DFBレーザとアンプの標準的なシリコンフォトニクス技術の統合を実現

March, 5, 2024, Grenoble--革新的なシリコンフォトニック集積回路(PIC)のリーディングサプライヤ、Scintil Photonicsは、Tower Semiconductorで生産中のIII-V-DFB レーザおよびアンプと標準的なシリコンフォトニクス技術の統合を発表したこれは、Scintilのサプライチェーンの強化における極めて重要な一歩である。

Scintilの完全集積回路は、標準的なSiフォトニクスに依存し、レーザと増幅器のモノリシック統合を可能にする固有の独自技術からできており、データセンタ、AI、および5Gアプリケーション向けに、性能、速度、信頼性、高密度を低消費電力で向上させる。

Scintilの技術は、低損失導波路、光検出器、変調器を含むTowerの量生産ベースPH18Mシリコンフォトニクスファウンドリ技術に基づいて製造されており、ウエファの裏面にDFBレーザと増幅器をモノリシック統合している。顧客によるScintilの回路のさらなるテストでは、気密封止パッケージは必要ないことが示され、経年劣化と堅牢性の向上が実証された。

「世界有数のファウンドリであるTower Semiconductorとのコラボレーションを紹介できることを喜んでいる。通信技術と製品の進歩に対する当社の取り組みにおいて、両社の協力は重要なマイルストーンとなる。長年にわたる協業により、われわれはレーザ増強シリコンフォトニックICsを提供する体制を整えている。これは、集積度、性能、拡張性を再定義するものである。これにより、Scintilは市場の需要を満たすための大量生産が可能になる。さらに、当社の技術は、量子ドット（QD）材料やニオブ酸リチウム（LN）材料など、より多くの材料の集積化に対応する素晴らしい機会を示している」と、Scintil Photonics社長/CEO、Sylvie Menezoは、話している。

市場調査会社LightCountingによると、シリコンフォトニクストランシーバ市場は年平均成長率(CAGR)24%で上昇し、2025年には少なくとも70億ドルの総獲得可能市場(TAM)に達すると予想されている。

Tower SemiconductorのRFビジネスユニットのVP/ゼネラルマネージャ、Edward Preislerは、「Towerの実績ある生産ビルディングブロックを活用したこの高度に統合されたソリューションで、Scintilをサポートできることを嬉しく思う。III-V族光増幅器/レーザの統合は、最先端のシリコンフォトニック技術を市場に投入するというTowerのコミットメントに沿ったものである」とコメントしている。