GaN半導体デバイス産業規模、2028年までに283億ドル

September, 20, 2023, Northbrook--マーケッツ&マーケッツ(MarketsandMarkets)のレポート「タイプ(光半導体、RF半導体、パワー半導体)、デバイス(ディスクリート、統合、HEMT、MMIC)、アプリケーション(照明とレーザ、パワードライブ)、電圧範囲、業種および地域別-2028年までのグローバル予測」によると、 GaN半導体デバイス市場は、2023年の211億ドルから2023-2028期間にCAGR 6.1%成長で2028年までに283億ドルに達する見込である。

GaN半導体デバイス市場の成長を推進する主因には、エネルギー&電力業界でのアプリケーションの増加、様々な業界でのコンパクト設計の必要性の高まりが含まれる。さらに、GaN半導体デバイスの継続的な技術進歩は、市場のプレーヤーに成長の機会を提供している。

照明&レーザアプリケーションは、予測期間にGaN半導体デバイス市場の最大シェアを占める見込
レーザダイオード、フォトカプラ、フォトダイオード、オプトディテクタなどの高出力GaNベースの光半導体デバイスに対する需要増は、GaN半導体デバイスの市場成長の一因となっている。GaNベース光半導体デバイスは、高強度、高輝度で発光することから、携帯電話、テレビ、大型ディスプレイ、デジタルカメラ、自動車などのモニタディスプレイに使用されている。したがって、家電製品の市場の成長はGaN半導体デバイスの市場成長を促進する主因であり、これにより照明&レーザアプリケーションでGaN半導体デバイスの採用がさらに増加す．。

パワー半導体セグメントは、予測期間にGaN半導体デバイス市場で最高CAGR成長の見込
GaNベースのパワー半導体デバイスは最近市場に加わり、現在数社が製造している。これらのデバイスは、他のGaN半導体製品よりも品化段階に入るのが遅かった。高い耐圧と低導通抵抗特性を実現できるため、小型で高速スイッチングが可能となり、オン抵抗を低減するためのより大きなチップ面積を必要とする従来のシリコントランジスタに比べて優位性は明らかである。パワー半導体デバイスを製造している主要企業は、Efficient Power Conversion (US), GaN Systems (Canada), および Transphorm (US)。したがって、高速スイッチングシステムのニーズの高まりは、将来の市場成長に貢献すると予想されている。

APACは、予測期間中に最高CAGR成長の見込み
APAC市場は、予測期間中に最高CAGRで成長すると予想されている。家電製品へのRF GaN半導体デバイスの組込増は、主にAPAC市場の成長を後押ししている。自動車、産業、電気通信、消費者および企業などの様々な分野でのGaN半導体デバイスの採用増も、APACのGaN半導体デバイス市場の成長を促進すると予想されれている。