窒化物半導体薄膜結晶を作製するための新手法を開発

May, 6, 2022, つくば--産業技術総合研究所（産総研）窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ 王学論 ラボチーム長、熊谷 直人 チーム付、山田永 ラボチーム長、電子光基礎技術研究部門 榊田創研究部門付、清水鉄司 研究グループ長らは、窒化物半導体、特に窒化インジウム（InN）やIn含有率の大きい窒化インジウムガリウム（InGaN）に対する薄膜結晶の新しい気相成長技術を開発した。

この技術では、従来の有機金属気相成長（MOCVD）装置の原料ガス導入ユニットに独自の準大気圧プラズマ源を統合した。これにより、高密度の窒素系活性種を試料表面に供給することで、InN薄膜結晶の高品質化に成功した。本成果により、次世代太陽光発電やVR/ARディスプレーなどに必要な赤色から近赤外域の高効率光デバイス、次世代高周波デバイスの実現が期待できる。

研究の詳細は、2022年4月23日にELSEVIER社刊行の「Applied Materials Today」で発表された。
(詳細は､https://www.aist.go.jp)